Radeon HD 6870实物：内部拆解

关于Radeon HD 6870的PCB，之前已有媒体泄露过，相信不少玩家已经见过了，下面来具体看一下。

一体式的涡轮散热器拆卸起来也不麻烦，拿掉散热器后PCB就一览无余了。密集的元器件依然是公版卡的风范，采用4相核心+1相显存+1相核心I/O协助供电设计，不过没有了HD 5870的数字供电，供电方案相对逊色一些。

新核心面容，代号“Barts”，依然是40nm工艺，核心内建17亿个晶体管，核心面积为255平方毫米，相比HD 5800系列“Cypress”的21.5亿个晶体管以及334平方毫米的面积已经小了太多，所谓温度和功耗都会进一步下降。另外核心拥有1140个流处理器， 56个纹理单元以及32个光栅单元，核心频率默认为900MHz。从生产日期来看，这款核心产于2010年第38周，也就是上个月底，生产地依然是台湾。

显存与HD 6870一致，同样采用现代GDDR5 0.4ns显存颗粒，单颗颗粒规格为128MB/32-bit，正面八颗共同组成1GB/256-bit的显存规格，默认频率为4200MHz。

4相核心供电集中在PCB左侧，在以往产品中比较少见。主控芯片来自CHiL的CHL 8124数字PWM控制器，最高可支持4+1相供电，每相供电均搭配一颗整合驱动IC的DrMOS，至于好处这里就不再多说了。用料方面也不算含糊，采用感值为0.2微亨的铁氧体电感以及香港万裕的ULR系列直插式固态电容，同时配合大量MLCC陶瓷电容，整体来说还算不错。

一相显存供电被放置在PCB右上角，PWM来自Anpec的 APW7165芯片，搭配一上一下两颗DPAK封装的MOSFET以及一颗感值为1.0微亨的全封闭铁芯电感，滤波电容依然是香港万裕的ULR系列直插式固态电容。

另外在PCB右下角还安置了一相核心I/O 协助供电，采用uP6122控制芯片，搭配一上一下两颗DPAK封装的MOSFET，主要用于GPU的显存控制器及I/O部分供电，以活动更纯净更稳定的电流，确保GDDR5能够高速正确的与GPU协同工作，在以前的HD 5800系列上也经常见到。

输出接口采用金属全封闭设计，可有效防止电磁干扰，提高输出信号的稳定性。这一点A卡要比N卡做的细致。另外，出风口挡板部分都经过镀镍处理，起到很好的抗氧化作用。