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台积电2nm工艺将继续涨价:每片晶圆或超3万美元

时间:2024-10-05 21:30:56
  • 来源:超能网
  • 作者:超能网
  • 编辑:豆角

台积电(TSMC)在2nm制程节点将首度使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管,另外N2工艺还能搭配NanoFlex技术,为芯片设计人员提供了灵活的标准元件。与现有的N3E工艺相比,预计N2工艺相同功率下性能会有10%到15%的提升,或者相同频率下功耗会下降25%到30%,同时晶体管密度将提升15%。

台积电2nm工艺将继续涨价:每片晶圆或超3万美元

据相关媒体报道,台积电每片300mm的2nm晶圆的价格可能超过3万美元,高于之前预期的2.5万美元。相比之下,目前3nm晶圆的价格大概在1.85万至2万美元,而4/5nm晶圆的价格在1.5到1.6万美元之间,无论如何,可以预见2nm晶圆的价格会有大幅度的提升。值得注意的是,台积电的订单报价包含多种因素,和具体的客户以及订单量有关,部分客户可能会有些优惠,3万美元是一个较为粗略的数字。

为了应对市场对2nm工艺技术的强劲需求,台积电持续对该制程节点进行投资,2nm晶圆厂将分布在中国台湾的北部(新竹宝山)、中部(台中中科)和南部(高雄楠梓)。新工艺将增加EUV光刻步骤,甚至有可能使用双重曝光,毫无疑问成本将高于3nm制程节点。

台积电计划N2工艺于2025年下半年进入批量生产阶段,客户最快在2026年前就能收到首批采用N2工艺制造的芯片,首个客户预计是苹果。

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