按照台积电（TSMC）的安排，将在2nm制程节点将首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，同时制造过程仍依赖于极紫外（EUV）光刻技术，计划2025年进入大批量生产阶段，客户在2026年就能收到首批采用N2工艺制造的芯片。

据Trendforce报道，有报告显示，台积电正在积极安装对于先进工艺至关重要的EUV光刻机，以应付2nm工艺的量产，今年和明年将接收超过60台EUV光刻机，投入的资金额超过4000亿新台币（约合123亿美元/人民币894亿元）。

随着ASML不断扩大产能，预计2025年EUV光刻机的交付量将增长30%以上，台积电也会因此受益。去年ASML为了响应客户的需求计划增产，明年的EUV光刻机交付量会有明显增长，预计今年为53台，明年增至72台以上。据了解，ASML在2025年的目标产能为90台EUV光刻机、600台DUV光刻机、以及20台High-NA EUV光刻机。

EUV光刻机的供应一直很紧张，交货时间在16至20个月之间，2024年的订单大部分要到2025年才能交付。传闻台积电2024年订购了30台EUV光刻机，2025年为35台。不过由于台积电可能会对资本支出计划进行调整，这些数字最终会略有变化。此外，台积电有望在今年某个时候接受到最新的High-NA EUV光刻机。