据媒体报道，存储芯片产业界近日传来消息，通用型DRAM内存芯片可能面临供应短缺的局面。

随着业界对高带宽存储(HBM)这类DRAM的大力投资，通用型DRAM的产能利用率相对较低，三星和SK海力士的产能利用率仅在80%到90%之间，与NAND闪存的全速生产形成鲜明对比。

伴随着企业级固态硬盘(eSSD)的需求因人工智能的普及而激增，导致三星、SK海力士等主要制造商在第二季度满负荷运行其NAND生产线。

铠侠也在市场条件改善后结束了减产，NAND产能利用率恢复至100%。

与HBM DRAM相比，通用型DRAM指的是用于手机、PC的内存芯片，这一供应短缺的信号可能预示着DRAM内存芯片的价格上涨。

自2024年初以来，通用型DRAM的产能仅提升了大约10%，而智能手机、PC和服务器市场的增长率预计仅为2%到3%。

全球云计算和科技公司在AI基础设施上的投资削减，也未能显著推动DRAM需求的复苏。

尽管业界对通用型DRAM需求反弹持谨慎乐观态度，但这一可能性很大程度上取决于终端设备AI能力的普及程度。

PC制造商和智能手机厂商，如三星和苹果，正在积极探索AI技术在各自产品中的应用，以期带动市场需求。