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台积电为1nm工艺做准备 总开发成本超320亿美元

时间:2024-01-24 19:40:31
  • 来源:超能网
  • 作者:吕嘉俭
  • 编辑:豆角

去年末,台积电(TSMC)在IEEE国际电子元件会议(IEDM 2023)上透露,其1.4nm制程节点的研发工作已全面展开,进展顺利。这是台积电首次对外披露其1.4nm制程节点的开发情况,对应工艺的正式名称为“A14”,至于工艺的具体规格和量产时间,暂时还不清楚。

台积电为1nm工艺做准备 总开发成本超320亿美元

台积电的2nm工艺计划在明年末量产,1.4nm工艺的推出时间大概在2027年至2028年之间。不过据UDN的最新报道,台积电已经在为更遥远的1nm工艺生产做规划,将是首家准备1nm工艺的代工厂,这让半导体竞争变得更加激烈、有趣。

此前台积电在IEDM 2023上分享了部分信息,1nm工艺大概要等到2030年,正式名称为“A10”。随着包括CoWoS、InFO和SoIC等封装技术的进步,台积电预计2030年左右可以打造万亿级晶体管的芯片。台积电采用的方法与英特尔比较相似,问题在于如何实现这一目标,最近半导体行业一直被收益率和产能所困扰。

据称,台积电的1nm工艺将是一个昂贵的计划,预计总开发成本超过了320亿美元。台积电也会为1nm工艺新建一座晶圆厂,地点在中国台湾南部的嘉义县,总面积超过了100公顷,同时会按照60/40的比例划分,以同时满足半导体制造和封装的需求。

虽然先进工艺的开发难度越来越大,投入越来越高,不过台积电并没有停止前进的步伐,除了1nm工厂,预计还会建造多座2nm工厂。

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