近期传出台积电（TSMC）在3nm工艺开发上取得突破，第二版3nm制程的N3B会在今年8月份率先投片，第三版3nm制程的N3E的量产时间可能由原来的2023年下半年提前到2023年第二季度。去年台积电总裁魏哲家曾表示，N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构，推出的时候将成为业界最先进的PPA和晶体管技术，同时也会是台积电另一个大规模量产且持久的制程节点。

在实现3nm工艺上的突破后，台积电似乎对2nm工艺变得更加有信心。据TomsHardware报道，本周台积电总裁魏哲家证实，N2制程节点将如预期那样使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，，制造的过程仍依赖于现有的极紫外（EUV）光刻技术。预计台积电在2024年末将做好风险生产的准备，并在2025年末进入大批量生产，客户在2026年就能收到首批2nm芯片。

魏哲家认为，台积电N2制程节点在研发上已走上正轨，无论晶体管结构和工艺进度都达到了预期。

随着晶体管变得越来越细小，台积电采用新工艺技术上的速度也变慢了，以往大概每两年就会进入一个新的制程节点，现在则要等更长的时间。N2制程节点的时间表一直都不太确定，台积电在2020年首次确认了该项工艺的研发，根据过往信息，2022年初开始建设配套的晶圆厂，预计2023年中期完成建筑框架，2024年下半年安装生产设备。