目前DDR5才随Intel的12代酷睿Alder Lake刚上市没多久，但三星已经在表示他们已经在开发下一代的DDR6内存了，在一年一代的技术日活动上，三星透露了DDR6、GDDR6+、GDDR7和HBM3等下一代内存技术的信息。

Computerbase已经从三星那里获得了新一代内存的各种信息，目前DDR5还处于生命周期的初期，频率普遍不是很高，不过随着时间的推移频率是会慢慢上去的，三星认为在不久的将来DDR5的频率就会提升到JEDEC标准的6400Mbps，而超频条的频率可达到8400Mbps，其实现在就已经有厂商把DDR5内存的频率提升到7000Mbps了。

而下一代的DDR6已经在早期开发阶段，未来用于取代DDR5，当然预计至少在2025到2026年后才会推出，DDR4内存至少用了6年，而DDR5到DDR6估计也会差不多的时间。

三星认为未来的DDR6内存的JEDEC标准会达到12800Mbps，而超频条的频率可能会到17000Mbps，甚至可能会突破20000Mbps，目前DDR6的标准各家目前还在一同讨论中，预计在2024年完成。每个模组DDR6内存的通道数和现在的DDR5相比再次翻倍，变成16bit*4，bank数量增加到最多64个。

显存方面，三星透露了速度更快的GDDR6+计划，用于取代现有的GDDR6，三星计划在本月采用1znm开始试产GDDR6+，它的频率能到24Gbps，并会成为下一代GPU的配置，如果真能达到此频率的话拥有320/352/384bit显存位宽的显卡显存带宽就能超过1TB/s，而256bit的GPU的带宽也能到768GB/s。

至于新一代的GDDR7显存，预计可提供高达32Gbps的传输速度，并且会支持实时错误保护技术，但三星并没有对其进行详细说明。而HBM3内存，三星计划会在2022年第二季度开始投产，并表示速度会是800GB/s，将会用在未来的HPC和数据中心GPU/CPU系统中。