三星在2020年的时候，宣布攻克了3nm工艺节点的关键技术GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，预计会在2022年正式推出新工艺，并在今年3月份的IEEE国际集成电路会议上，介绍了该工艺的相关细节。

据三星介绍，该工艺节点称为3GAE，其晶体管的结构使得设计人员可以通过调节晶体管通道的宽度来精确地对其进行调谐，以实现高性能或低功耗。较宽的薄片可以在更高的功率下实现更高的性能，而较薄/较窄的薄片可以降低功耗和性能。相比7LPP工艺，3GAE可以在同样功耗下让性能提高30%，或同样频率下能让功耗降低50%，晶体管密度最高可提高80%。此前三星表示，采用3GAE工艺技术已正式流片。

不过据SemiAnalysis报道，采用了新技术的3GAE工艺节点似乎没那么顺利，批量生产推迟到了2024年。如果情况属实，这意味着三星在制造工艺上会继续落后于台积电（TSMC）。得益于新材料和新技术的运用，按照台积电的规划，2024年会将2nm工艺投入生产。

目前英特尔在10nm以下工艺的研发工作进展缓慢，早已落后于台积电和三星，短时间内也难以赶上。三星被视为最有机会赶上台积电的半导体制造厂商，特别是在3nm工艺节点上，比台积电更早引入GAAFET全环绕栅极晶体管工艺（台积电要到2nm工艺才会应用），被认为是赶超的关键。