荷兰半导体制造设备巨头ASML前天刚刚展示了其下一代高数值孔径 (High-NA) 极紫外 (EUV) 光刻机，还透露其 High-NA Twinscan EXE 光刻机的价格约为 3.5 亿欧元。相比之下，现有的EUV 光刻机价格约为 1.7 亿欧元（当前约 13.19 亿元人民币），当然具体价格要取决于具体型号和配置。

此外，ASML 还告诉路透社，该公司截至目前已收到包括英特尔和 SK 海力士在内数家公司的“10 到 20”个订单，并计划到 2028 年每年生产 20 台。

ASML 的 High-NA Twinscan EXE 光刻机代表了该公司技术的巅峰，每台设备重达 150,000 公斤，相当于两架空客 A320 客机，需要 250 个集装箱运输，运到客户手里后还要再由 250 名工程师花费六个月的时间组装。

即将推出的 High-NA EUV Twinscan EXE 光刻机能够实现 8nm 的分辨率，而现机器只能通过单次曝光达到 13nm 的分辨率，这使得下一代晶体管尺寸将缩小约至 1.7 分之 1，晶体管密度增加近三倍，对 3nm 以下工艺至关重要，而这也是业界在 2025 年至 2026 年之间希望达到的目标。

当然，现有 EUV 光刻机也可以实现同样的分辨率和晶体管密度，但它们需要采用更昂贵的材料和更复杂的双 / 多重曝光技术，而采用 High-NA EUV 技术则可以简化生产流程、提高良率并有效降低成本。

不同的芯片制造商对部署 High-NA EUV 机器的规划也不同，例如英特尔就计划在其后 18A 工艺中使用 High-NA EUV 光刻机，而台积电则会采取更谨慎的做法，预计将在 2030 年左右才会将其用于 1nm 级节点（未确认具体时间）。